AO4400 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4400
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 213 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

2001年7月

AO4401

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4401采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至2.5V 。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。

特点

(V) = -30V

= -6.1 A

DS （ ON）

< 46mΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 61mΩ （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 117mΩ （V

= -2.5V)

SOIC-8

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

=25°C

=70°C

, T

英镑

最大

-30

±12

-6.1

-5.1

-60

2.1

-55到150

单位

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

° C / W

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