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AO4409 参数 Datasheet PDF下载

AO4409图片预览
型号: AO4409
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 223 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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2002年11月
AO4409
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4409采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和超低低栅极
费。此装置适合于用作负载
开关或PWM应用。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -15 A
最大ř
DS ( ON)
< 7.5mΩ (V
GS
= -10V)
最大ř
DS ( ON)
< 12mΩ (V
GS
= -4.5V)
SOIC-8
顶视图
S
S
S
G
D
D
D
D
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±20
-15
-12.8
-80
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
26
50
14
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司