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型号: AO4404AL
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 134 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4404A
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4404A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。源极引线被分离,以允许
Kelvin连接到源,它可以是
用于绕过源电感。
标准
产品AO4404A是无铅的(符合ROHS &索尼
259规格) 。 AO4404AL是一种绿色产品
订购选项。 AO4404A和AO4404AL是
电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
30mΩ到< (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 48mΩ (V
GS
= 2.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
SOIC-8
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
30
±12
8.5
7.1
60
2.8
1.8
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
37
70
26
最大
45
100
36
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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