AO4412L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4412L
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 142 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4412

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO4412采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和超低栅极电荷

使用具有快速高侧开关。源引线

分离，以允许一个Kelvin连接到源极，

其可以用于绕过源

inductance.Standard产品AO4412是Pb-free

（符合ROHS &索尼259规格）。 AO4412L

是一种绿色产品订购选项。 AO4412和

AO4412L是电相同。

特点

(V) = 30V

= 8.5A

= 10V)

DS （ ON）

< 26mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 34mΩ （V

= 4.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

=25°C

=70°C

, T

英镑

最大

±12

8.5

7.1

2.1

-55到150

单位

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

° C / W

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