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型号: AO4420A
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 104 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4420A
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4420A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力,
体二极管characteristics.This装置适用于
使用如在PWM应用一个同步开关。
标准产品AO4420A是Pb-free (符合ROHS
&索尼259规格) 。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 13.7A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 10.5mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 12mΩ (V
GS
= 4.5V)
UIS测试
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
T
A
=25°C
AF
当前
I
D
T
A
=70°C
漏电流脉冲
B
I
DM
B
雪崩电流
I
AR
重复雪崩能量L = 0.3mH
B
E
AR
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
P
D
T
J
, T
英镑
最大
30
±12
13.7
9.7
60
20
60
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
28
54
21
最大
40
75
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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