AO4422A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4422A
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 121 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4422A

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO4422A采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。源极引线被分离，以允许

Kelvin连接到源，它可以是

用于绕过源电感。

标准

产品AO4422A是无铅的（符合ROHS &索尼

259规格）。 AO4422AL是一种绿色产品

订购选项。 AO4422A和AO4422AL是

电相同。

特点

(V) = 30V

= 11A

= 10V)

DS （ ON）

< 15MΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 24mΩ （V

= 4.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

=25°C

=70°C

, T

英镑

最大

±20

9.3

2.1

-55到150

单位

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

° C / W

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