AO4437L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4437L
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 98 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4437

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4437采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作门

电压低至1.8V 。此装置适合于用作

负荷开关或PWM应用。这是ESD保护。

标准产品AO4437是Pb-free （符合ROHS &索尼

259规格）。 AO4437L是一个绿色产品订购

选项。 AO4437和AO4437L是电相同。

特点

(V) = -12V

= -11 A（V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 16mΩ （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 20MΩ （V

= -2.5V)

DS （ ON）

< 25MΩ （V

= -1.8V)

ESD额定值： HBM 4KV

SOIC-8

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-12

±8

-11

-9

-20

2.1

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

° C / W

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