AO4446L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4446L
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 110 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4446

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO4446采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和低

栅极电阻。此装置非常适合于使用

在PWM应用。

标准产品AO4446是

无铅（符合ROHS &索尼259规格）。

AO4446L是一个绿色产品订购选项。

AO4446和AO4446L是电相同。

特点

(V) = 30V

= 15A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 8.5mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 14.5mΩ （V

= 4.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

±20

2.1

-55到150

单位

°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

=25°C

重复雪崩能量L = 0.1mH

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

最大

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案