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AO4459 参数 Datasheet PDF下载

AO4459图片预览
型号: AO4459
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 127 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4459
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4459采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
低栅极电荷。此装置适用于
用作负载开关或PWM应用。
标准
产品AO4459是Pb-free (符合ROHS &索尼259
规范)。 AO4459L是一个绿色产品订购
选项。 AO4459和AO4459L是电相同
.
特点
V
DS
(V) = -30V
(V
GS
= -10V)
I
D
= -6.5A
R
DS ( ON)
< 46mΩ (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 72mΩ (V
GS
= -4.5V)
SOIC-8
顶视图
S
S
S
G
D
D
D
D
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±20
-6.5
-5.3
-30
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
33
62
18
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司