AO4468 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4468
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 144 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4468

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO4468采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。这

装置适合于用作负载开关或在

PWM应用。源引线是分开的

以允许一个Kelvin连接到源极，这

可以用于绕过源电感。

标准产品AO4468是Pb-free （符合ROHS

&索尼259规格）。 AO4468L是绿色

产品订购选项。 AO4468和AO4468L是

电相同。

特点

(V) = 30V

= 11.6A

DS （ ON）

< 14mΩ

DS （ ON）

< 22MΩ

= 10V)

= 4.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

最大

漏源电压

±20

栅源电压

连续漏极

11.6

=25°C

当前

9.2

=70°C

漏电流脉冲

=25°C

=70°C

功耗

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

, T

英镑

3.1

-55到150

单位

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

° C / W

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