AO4488 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4488
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 133 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4488

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO4488 / L采用先进沟道技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

低栅极电荷。

此设备的ESD保护，并且它适合于用作

负载开关或PWM应用。

AO4488和

AO4488L是电相同。

-RoHS标准

-AO4488L是无卤

特点

(V) = 30V

= 10V)

= 20A

DS （ ON）

< 4.6mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 6.4mΩ （V

= 4.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

10秒

稳定状态

漏源电压

±20

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.3mH

功耗

单位

=25°C

=70°C

, T

英镑

=25°C

=70°C

375

3.1

2.0

-55到150

1.7

1.1

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳定状态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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