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AO4496图片预览
型号: AO4496
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 211 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4496
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4496 / L采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
低栅极电荷。这
装置适合于用作DC-DC转换
应用程序。 AO4496和AO4496L是电
相同的。
-RoHS标准
-AO4496L是无卤
特点
V
DS
(V) = 30V
(V
GS
= 10V)
I
D
= 10A
R
DS ( ON)
< 19.5mΩ (V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 26mΩ
UIS测试!
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
D
S
S
S
G
D
D
D
D
S
G
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
雪崩电流
G
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
A
G
B
最大
30
±20
10
7.5
50
17
14
3.1
2.0
-55到150
单位
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
mJ
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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