AO4600 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4600
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内容描述：	互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 268 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4600

互补增强型场效应晶体管

概述

该AO4600采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。该

互补的MOSFET组成一个高速动力

逆变器，适合于多种应用。

标准产品AO4600是Pb-free （符合ROHS

&索尼259规格）。 AO4600L是绿色

产品订购选项。 AO4600和AO4600L是

电相同。

特点

N沟道

P沟道

-30V

(V) = 30V

= 6.9A

= 10V)

-5A

-10V)

DS （ ON）

< 27mΩ

< 49mΩ （V

=- 10V)

< 32mΩ

< 64mΩ （V

=- 4.5V)

< 50mΩ以下

< 120MΩ （V

-2.5V)

SOIC-8

N沟道

P沟道

绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明

符号

参数

最大的n沟道

漏源电压

栅源电压

±12

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大的p沟道

-30

±12

-5

-4.2

-30

1.44

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

6.9

5.8

1.44

-55到150

°C

结温和存储温度范围

热特性： n沟道和p沟道

参数

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

符号

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

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