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AO4607L图片预览
型号: AO4607L
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 197 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4607
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4607采用先进的沟槽
技术的MOSFET ,以提供EXCELLEN
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET ,可以使用
在逆变器和其它应用程序。一
肖特基二极管共同封装的正
沟道FET ,以减少体二极管
损失。
AO4607是Pb-free (符合ROHS
&索尼259规格) 。 AO4607L是
绿色产品订购选项。
AO4607和AO4607L是电
相同的。
S2/A
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K
D2/K
D1
D1
特点
N沟道
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 28mΩ (V
GS
=10V)
< 42mΩ (V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-6A (V
GS
=1-0V)
R
DS ( ON)
< 35mΩ (V
GS
=
-10V)
< 58mΩ (V
GS
=- 4.5V)
肖特基
VDS (V)= 30V, IF = 3A, VF<0.5V@1A
D
K
A
S2
D
G
G
SOIC-8
S
N沟道
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-6
-5
-30
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
单位
V
A
W
°C
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
6.9
T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
5.8
I
D
B
漏电流脉冲
I
DM
30
T
A
=25°C
T
A
=70°C
功耗
结温和存储温度范围
参数
反向电压
连续转T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
脉冲二极管正向电流
B
功耗
A
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
2
1.28
-55到150
最大肖特基
30
3
2
20
2
1.28
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
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