AO4610 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4610
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内容描述：	互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	9 页 / 209 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4610

互补增强型场效应晶体管

概述

该AO4610采用先进的沟槽

技术MOSFET，以提供出色的

DS （ ON）

和低栅极电荷。该

互补的MOSFET可被用于

逆变器和其它应用程序。肖特基

二极管共同封装与n沟道FET

最大限度地减少体二极管损耗。

标准

产品AO4610是无铅的（符合ROHS &

索尼259规格）。 AO4610L是

绿色产品订购选项。 AO4610

和AO4610L是电相同。

特点

N沟道

(V) = 30V

= 8.5A （V

=10V)

DS （ ON）

< 18MΩ （V

=10V)

< 28mΩ （V

=4.5V)

<0.5V@1A

P沟道

-30V

-7.1A(V

= -10V)

DS （ ON）

< 25MΩ （V

= -10V)

< 40MΩ （V

= -4.5V)

S2/A

D2/K

SOIC-8

N沟道

P沟道

最大的p沟道

-30

±20

-7.1

-5.6

-30

1.28

-55到150

单位

°C

单位

°C

绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明

参数

最大的n沟道

符号

漏源电压

栅源电压

±20

连续漏极

8.5

=25°C

当前

6.6

=70°C

漏电流脉冲

=25°C

=70°C

1.28

功耗

结温和存储温度范围T

, T

英镑

-55到150

参数

反向电压

连续向前

当前

符号

, T

英镑

=25°C

=70°C

脉冲正向电流

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

最大肖特基

1.28

-55到150

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