AO4611L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4611L
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内容描述：	互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 165 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4611

互补增强型场效应晶体管

概述

该AO4611采用先进的沟槽技术

MOSFET，以提供优秀的研发

DS （ ON）

低

栅极电荷。互补MOSFET的可能

可用于形成一个电平移位的高侧开关，

和许多其它的应用程序。

标准

产品AO4611是无铅的（符合ROHS &

索尼259规格）。 AO4611L是绿色

产品订购选项。 AO4611和AO4611L

是电相同。

特点

N沟道

(V) = 60V

= 6.3A （V

=10V)

DS （ ON）

< 25MΩ （V

=10V)

30mΩ到< （V

=4.5V)

P沟道

-60V

-4.9A

= -10V)

DS （ ON）

< 42mΩ （V

-10V)

< 52mΩ （V

-4.5V)

SOIC-8

N沟道

P沟道

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

最大的n沟道

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

=25°C

=70°C

, T

英镑

±20

6.3

1.28

-55到150

最大的p沟道

-60

±20

-4.9

-3.9

-30

1.28

-55到150

单位

°C

热特性： n沟道和p沟道

参数

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

符号

θJA

θJL

θJA

θJL

设备

N沟道

P沟道

典型值

最大单位

62.5 ° C / W

110℃ / W

60 ° C / W

62.5

110

° C / W

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