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    AO4614B 参数 Datasheet PDF下载

    AO4614B图片预览
    型号： AO4614B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 222 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4614B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4614B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4614B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4614B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4614B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4614B的Datasheet PDF文件第7页  
    AO4614B
    互补增强型场效应晶体管
    概述
    该AO4614B / L采用先进沟道技术
    MOSFET，以提供优秀的研发
    DS （ ON）
    和低门
    费。互补MOSFET的可能
    在H桥，逆变器和其他应用程序使用。
    AO4614B和AO4614BL是电相同。
    -RoHS标准
    -AO4614BL是无卤
    特点
    N沟道
    V
    DS
    (V) = 40V,
    R
    DS （ ON）
    30mΩ到<
    R
    DS （ ON）
    < 38mΩ
    P沟道
    V
    DS
    (V) = -40V,
    R
    DS （ ON）
    < 45mΩ
    R
    DS （ ON）
    < 63mΩ
    D2
    I
    D
    = 6A （V
    GS
    =10V)
    (V
    GS
    =10V)
    (V
    GS
    =4.5V)
    I
    D
    = -5A （V
    GS
    =-10V)
    （ VGS = -10V ）
    （ VGS = -4.5V ）
    D1
    S2
    G2
    S1
    G1
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    D2
    D2
    D1
    D1
    G2
    S2
    G1
    S1
    SOIC-8
    N沟道
    绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
    A
    参数
    最大的n沟道
    符号
    V
    DS
    漏源电压
    40
    V
    GS
    栅源电压
    ±20
    连续漏极
    当前
    A
    漏电流脉冲
    雪崩电流
    B
    重复雪崩能量L = 0.1mH
    功耗
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    B
    B
    P沟道
    最大的p沟道
    -40
    ±20
    -5
    -4
    -30
    -20
    20
    2
    1.28
    -55到150
    mJ
    W
    °C
    A
    单位
    V
    V
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    I
    D
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    6
    5
    30
    14
    9.8
    2
    1.28
    -55到150
    结温和存储温度范围
    热特性： n沟道和p沟道
    参数
    A
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    稳态
    最大结点到环境
    C
    稳态
    最大结对铅
    A
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    稳态
    最大结点到环境
    C
    稳态
    最大结对铅
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    R
    θJA
    R
    θJL
    设备
    N沟道
    N沟道
    N沟道
    P沟道
    P沟道
    P沟道
    典型值
    48
    74
    35
    48
    74
    35
    最大
    62.5
    110
    50
    62.5
    110
    50
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司
    www.aosmd.com

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