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AO4615L 参数 Datasheet PDF下载

AO4615L图片预览
型号: AO4615L
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 192 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4615
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4615采用先进的沟槽
技术MOSFET,以提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。
互补MOSFET的可能
用于形成一个电平移位的高侧
切换,并为许多其它的
应用程序。这是ESD保护。
标准产品AO4615是Pb-free
(符合ROHS &索尼259
规范)。 AO4615L是绿色
产品订购选项。 AO4615和
AO4615L是电相同
特点
N沟道
P沟道
V
DS
(V) = 30V
-30V
-5.7A (V
GS
=10V)
I
D
= 7.2A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
=10V)
< 39米
(V
GS
= -10V)
< 40MΩ (V
GS
=4.5V)
< 62米
(V
GS
= -4.5V)
ESD等级: 1500V ( HBM )
P沟道MOSFET具有进一步的开发
OC
<为1MΩ
开路保护。
D2
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
G2
G1
R
OC
S2
S1
SOIC-8
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
功耗
雪崩电流
B
B
最大的p沟道
-30
±20
-5.7
-4.9
-30
2
1.44
20
20
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
7.2
I
D
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
6.1
30
2
1.44
15
11
-55到150
W
A
mJ
°C
重复雪崩能量0.1mH
结温和存储温度范围
热特性: n沟道和p沟道
参数
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
典型值
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
最大
55
92
37
48
87
37
单位
62.5 ° C / W
110℃ / W
50 ° C / W
62.5 ° C / W
110℃ / W
50 ° C / W
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