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    AO4617 参数 Datasheet PDF下载

    AO4617图片预览
    型号： AO4617
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 143 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4617的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4617的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4617的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4617的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4617的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4617的Datasheet PDF文件第7页  
    AO4617
    互补增强型场效应晶体管
    概述
    该AO4617采用先进的沟槽
    技术的MOSFET ，以提供EXCELLEN
    R
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。该
    互补的MOSFET ，可以使用
    在H桥，逆变器等
    应用程序。
    标准产品AO4617
    是无铅的（符合ROHS &索尼259
    规范）。 AO4617L是绿色
    产品订购选项。 AO4617和
    AO4617L是电相同。
    特点
    N沟道
    V
    DS
    (V) = 40V
    I
    D
    = 6A （V
    GS
    =10V)
    R
    DS （ ON）
    < 32mΩ （V
    GS
    =10V)
    < 45mΩ （V
    GS
    =4.5V)
    P沟道
    -40V
    -5A （V
    GS
    = -10V)
    R
    DS （ ON）
    < 48mΩ （V
    GS
    = -10V)
    < 75mΩ （V
    GS
    = -4.5V)
    ESD等级： 3000V （ HBM ）
    UIS测试！
    RG ，西塞，科斯，测试的Crss
    D2
    D1
    S2
    G2
    S1
    G1
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    D2
    D2
    D1
    D1
    G2
    G1
    SOIC-8
    N沟道
    S2
    S1
    P沟道
    最大的p沟道
    -40
    ±20
    -5
    -4
    -25
    2
    1.28
    17
    43
    -55到150
    W
    A
    mJ
    °C
    A
    单位
    V
    V
    绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
    A
    参数
    符号
    最大的n沟道
    V
    DS
    漏源电压
    40
    V
    GS
    栅源电压
    ±20
    连续漏极
    A
    当前
    漏电流脉冲
    功耗
    B
    雪崩电流
    B
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    B
    6
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    I
    AR
    E
    AR
    T
    J
    , T
    英镑
    5
    30
    2
    1.28
    13
    25
    -55到150
    重复雪崩能量0.3mH
    结温和存储温度范围
    热特性： n沟道和p沟道
    参数
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    A
    稳态
    最大结点到环境
    稳态
    最大结对铅
    C
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    A
    稳态
    最大结点到环境
    C
    稳态
    最大结对铅
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    R
    θJA
    R
    θJL
    设备
    N沟道
    N沟道
    N沟道
    P沟道
    P沟道
    P沟道
    典型值
    48
    74
    35
    48
    74
    35
    最大
    62.5
    110
    50
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    62.5 ° C / W
    110℃ / W
    50 ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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