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AO4612L 参数 Datasheet PDF下载

AO4612L图片预览
型号: AO4612L
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 141 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4612
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4612采用先进的沟槽
技术MOSFET,以提供出色的
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET ,可以使用
在H桥,逆变器等
应用程序。
标准产品AO4612是
无铅(符合ROHS &索尼259
规范)。 AO4612L是绿色
产品订购选项。 AO4612和
AO4612L是电相同。
特点
N沟道
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 4.5A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 56mΩ (V
GS
=10V)
< 77mΩ (V
GS
=4.5V)
P沟道
-60V
-3.2A (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 105mΩ (V
GS
= -10V)
< 135mΩ (V
GS
= -4.5V)
D2
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
G2
S2
G1
S1
SOIC-8
N沟道
P沟道
最大的p沟道
-60
±20
-3.2
-2.6
-20
2
1.28
-55到150
典型值
48
74
35
48
74
35
W
°C
A
单位
V
V
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
60
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
±20
4.5
3.6
20
2
1.28
-55到150
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性: n沟道和p沟道
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
最大单位
62.5 ° C / W
110℃ / W
60 ° C / W
62.5
110
40
° C / W
° C / W
° C / W
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