欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AO4620 参数 Datasheet PDF下载

AO4620图片预览
型号: AO4620
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 140 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号AO4620的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4620的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4620的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4620的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4620的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4620的Datasheet PDF文件第7页  
AO4620
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4620采用先进的沟槽
技术MOSFET,以提供出色的
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET可被用于
逆变器和其它应用程序。
标准
产品AO4620是无铅的(符合ROHS
&索尼259规格) 。
特点
N沟道
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7.2A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
=10V)
< 36mΩ (V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-5.3A (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 38mΩ (V
GS
= -10V)
<的60mΩ (V
GS
= -4.5V)
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G2
D2
D1
SOIC-8
S2
G1
S1
N沟道
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-5.3
-4.5
-30
2
1.44
17
43
-55到150
单位
V
V
A
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
7.2
T
A
=25°C
F
当前
T
A
=70°C
6.2
I
D
B
漏电流脉冲
I
DM
30
功耗
T
A
=70°C
B
雪崩电流
B
重复雪崩能量0.3mH
结温和存储温度范围
F
T
A
=25°C
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
2
1.44
13
25
-55到150
W
A
mJ
°C
热特性: n沟道和p沟道
参数
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
50
80
32
50
80
32
最大
62.5
100
40
62.5
100
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com