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AO4624 参数 Datasheet PDF下载

AO4624图片预览
型号: AO4624
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 165 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4624
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4624采用先进的沟槽
技术MOSFET,以提供出色的
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET可用于
形成了电平偏移的高侧开关,及一
许多其它的应用程序。
标准产品
AO4624是Pb-free (符合ROHS &索尼
259规格) 。 AO4624L是绿色
产品订购选项。 AO4624和
AO4624L是电相同。
特点
N沟道
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 28mΩ (V
GS
=10V)
< 42mΩ (V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-6A (V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
< 35mΩ (V
GS
= -10V)
< 58mΩ (V
GS
= -4.5V)
D2
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G2
G1
S2
D1
SOIC-8
S1
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
功耗
B
雪崩电流
B
最大的p沟道
-30
±20
-6
-5
-30
2
1.44
20
20
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
6.9
I
D
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
5.8
30
2
1.44
15
11
-55到150
W
A
mJ
°C
重复雪崩能量0.1mH
结温和存储温度范围
热特性: n沟道和p沟道
参数
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
48
74
35
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
62.5 ° C / W
110℃ / W
40 ºC / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司