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AO4726L 参数 Datasheet PDF下载

AO4726L图片预览
型号: AO4726L
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 123 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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SRFET
TM
AO4726
N沟道增强型网络场效晶体管
TM
概述
SRFET
该AO4726 / L采用先进沟道
技术具有单片集成的肖特基
二极管以提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。
此装置适合于用作低侧FET在
SMPS中,负载开关和通用
应用程序。
AO4726和AO4726L是电
相同的。
-RoHS标准
-AO4726L是无卤
D
S
S
S
G
D
D
D
D
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 18A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 6MΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 7MΩ (V
GS
= 4.5V)
UIS测试!
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
G
S
SRFET
TM
软恢复
MOSFET :
集成肖特基二极管
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
雪崩电流
B
B
B
最大
单位
V
30
±12
18
14
80
42
265
3.1
2.0
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
帝斯曼
I
DM
I
AR
E
AR
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
A
重复雪崩能量L = 0.3mH
功耗
T
A
=70°C
mJ
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
32
60
17
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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