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型号: AO4807
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内容描述: 双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 111 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4807
双P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4807采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和超低低栅极
费。此装置适合于用作负载
开关或PWM应用。
标准产品
AO4807是Pb-free (符合ROHS &索尼259
规范)。 AO4807L是一个绿色产品订购
选项。 AO4807和AO4807L是电
相同的。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -6 A(V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 35mΩ (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 58mΩ (V
GS
= -4.5V)
D1
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±20
-6
-5
-30
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W