AO4800A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4800A
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 109 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4800A

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4800A采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。该

两个MOSFET进行紧凑和高效的开关

和同步整流器组合在降压使用

转换器。

标准产品AO4800A是Pb-free

（符合ROHS &索尼259规格）。 AO4800AL

是一种绿色产品订购选项。 AO4800A和

AO4800AL是电相同。

特点

(V) = 30V

= 6.9A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 27mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 32mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 50mΩ以下（V

= 2.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

=25°C

=70°C

, T

英镑

最大

±12

6.9

5.8

1.9

1.2

-55到150

单位

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

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