AO4800BL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4800BL
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 110 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4800B ， AO4800BL

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4800B / L采用先进沟道技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。两

的MOSFET使一个紧凑和高效的开关和

同步整流器组合在降压使用

转换器。

标准产品AO4800B / L为无铅

（符合ROHS &索尼259规格）。

特点

(V) = 30V

= 6.9A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 27mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 32mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 50mΩ以下（V

= 2.5V)

UIS测试！

RG ，西塞，科斯，的Crss测试！

SOIC-8

绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明

符号

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

雪崩电流

最大

±12

6.9

5.8

1.9

1.2

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

重复雪崩能量0.3mH

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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