AO4806 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4806
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 116 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4806

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4806采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。他们

在很宽的栅极驱动范围从1.8V报价操作

至12V 。这是ESD保护。此装置适用于

作为单向或双向的负载开关使用，

其常见的漏配置提供便利。

标准产品AO4806是Pb-free （符合ROHS &

索尼259规格）。 AO4806L是绿色

产品订购选项。 AO4806和AO4806L是

电相同。

特点

(V) = 20V

输出高达9.4A = （V

= 10V)

DS （ ON）

< 14mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 15MΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 21mΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

30mΩ到< （V

= 1.8V)

ESD额定值： 2000V HBM

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

=25°C

=70°C

, T

英镑

最大

±12

9.4

7.5

1.28

-55到150

单位

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

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