AO4817 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4817
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内容描述：	双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 107 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4817

双P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4817采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和超低低栅极

充电用25V的栅极评级。此装置适用于

用作负载开关或PWM应用。该

器件的ESD保护。

标准产品AO4817

是无铅的（符合ROHS &索尼259规格）。

AO4817L是一个绿色产品订购选项。

AO4817和AO4817L是电相同。

特点

(V) = -30V

= -8A （V

= -20V)

DS （ ON）

< 18MΩ （V

= -20V)

DS （ ON）

< 21mΩ （V

= -10V)

ESD额定值： 1.5KV HBM

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-30

±25

-8

-6.9

-40

1.44

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

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