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型号: AO4824
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内容描述: 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 136 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4824
非对称双N沟道增强型场效应
晶体管
概述
该AO4824采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
和同步整流器组合中使用的直流
DC转换器。
标准产品AO4824是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。 AO4824L
是一种绿色产品订购选项。 AO4824和
AO4824L是电相同。
特点
Q1
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A
R
DS ( ON)
< 17mΩ
R
DS ( ON)
< 27mΩ
Q2
V
DS
(V) = 30V
I
D
=9.8A
(V
GS
= 10V)
<13mΩ
(V
GS
= 10V)
<15mΩ
(V
GS
= 4.5V)
D1
D2
SOIC-8
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
I
D
漏电流脉冲
B
最大Q1
30
±20
8.5
6.8
30
2
1.28
-55到150
典型值
48
74
35
最大Q2
30
±12
9.8
7.8
40
2
1.28
-55到150
最大
62.5
110
40
单位
V
V
A
I
DM
T
A
=25°C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
符号
R
θJA
R
θJL
T
A
=70°C
功耗
结温和存储温度范围
参数:热特性MOSFET Q1
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
最大结对铅
C
稳态
W
°C
单位
° C / W
参数:热特性MOSFET Q2
t
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
稳态
稳态
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