AO4822AL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4822AL
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 115 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4822A

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4822A采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。

标准产品AO4822A是Pb-free

（符合ROHS &索尼259规格）。

AO4822AL是一种绿色产品订购选项。

AO4822A和AO4822AL是电相同。

特点

(V) = 30V

= 8.5A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 16mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 26mΩ （V

= 4.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±20

8.5

6.6

1.28

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

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