AO4850 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4850
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 113 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4850

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO4850采用先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。两个MOSFET

可以以H桥，逆变器和其它应用程序中使用。

AO4850是Pb-free （符合ROHS &索尼259

特定网络阳离子）。

特点

(V) = 75V

= 10V)

= 3.1A

DS （ ON）

< 130mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 165mΩ （V

= 4.5V)

SOIC-8

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

雪崩电流

符号

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

最大

10秒

稳定状态

±25

3.1

2.3

1.8

1.3

-55到150

1.1

0.7

2.4

单位

, T

英镑

°C

重复雪崩能量0.3mH

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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