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    AO4900A 参数 Datasheet PDF下载

    AO4900A图片预览
    型号： AO4900A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管，肖特基二极管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
    分类和应用： 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 119 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4900A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4900A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4900A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4900A的Datasheet PDF文件第5页  
    AO4900A
    双N沟道增强型场效应晶体管
    与肖特基二极管
    概述
    该AO4900A采用先进的沟槽技术
    提供了优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。该
    两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
    和同步整流器组合中使用的直流
    DC转换器。肖特基二极管共同封装在
    与同步MOSFET并联，以提高
    效率进一步。
    标准产品AO4900A是有铅
    免费（符合ROHS &索尼259规格） 。
    AO4900AL是一种绿色产品订购选项。
    AO4900A和AO4900AL是电相同。
    特点
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 6.9A （V
    GS
    = 10V)
    R
    DS （ ON）
    < 27mΩ （V
    GS
    = 10V)
    R
    DS （ ON）
    < 32mΩ （V
    GS
    = 4.5V)
    R
    DS （ ON）
    < 50mΩ以下（V
    GS
    = 2.5V)
    肖特基
    V
    DS
    （V ） = 30V ，我
    F
    = 3A ，V
    F
    =0.5V@1A
    D2
    S2/A
    G2
    S1
    G1
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    D2/K
    D2/K
    D1
    D1
    G2
    S2
    K
    D1
    SOIC-8
    A
    G1
    S1
    绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
    A
    参数
    符号
    V
    DS
    漏源电压
    栅源电压
    T
    A
    =25°C
    连续漏电流
    漏电流脉冲
    B
    A
    MOSFET
    30
    ±12
    6.9
    5.8
    40
    肖特基
    单位
    V
    V
    A
    V
    GS
    T
    A
    =70°C
    I
    D
    I
    DM
    V
    KA
    T
    A
    =25°C
    A
    肖特基反向电压
    连续正向电流
    脉冲正向电流
    功耗
    结温和存储温度范围
    参数：热特性MOSFET
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A
    最大结对铅
    C
    热特性肖特基
    最大结点到环境
    最大结对铅
    C
    A
    A
    B
    T
    A
    =70°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    I
    F
    I
    FM
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    R
    θJA
    R
    θJL
    2
    1.44
    -55到150
    典型值
    55
    90
    40
    47.5
    71
    32
    30
    3
    2
    40
    2
    1.44
    -55到150
    最大
    62.5
    110
    48
    62.5
    110
    40
    V
    A
    W
    °C
    单位
    ° C / W
    稳态
    稳态
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    最大结点到环境
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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