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AO4906L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO4906L
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 122 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4906
双N沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管
概述
该AO4906采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
和同步整流器组合中使用的直流
DC转换器。肖特基二极管共同封装在
与同步MOSFET并联,以提高
效率进一步。
标准产品AO4906是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AO4906L是一个绿色产品订购选项。
AO4906和AO4906L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 27mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 32mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 50mΩ以下(V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
(V ) = 30V ,我
F
= 3A ,V
F
=0.5V@1A
D1
D2
D2
G1
S1/A
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
D1/S2/K
D1/S2/K
D1/S2/K
G1
S1
K
D2
A
SOIC-8
G2
S2
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
30
±12
7
6
40
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
功耗
结温和存储温度范围
参数:热特性MOSFET
t
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
30
3
2
2
1.44
-55到150
典型值
48
74
35
47.5
71
32
40
2
1.44
-55到150
最大
62.5
110
40
62.5
110
40
V
A
T
A
=70°C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
10s
稳态
稳态
最大结点到环境
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司