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AO4914 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO4914
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 148 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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第6版: 2005年5月
AO4914
双N沟道增强型场效应晶体管,
肖特基二极管
概述
该AO4914采用先进的沟槽技术,提供
优良的R DS ( ON )和低栅极电荷。两
的MOSFET使一个紧凑和高效的开关和
同步整流器的组合为在DC-DC使用
转换器。肖特基二极管共同封装在并行
与同步MOSFET ,以进一步提高效率
AO4914是Pb-free (符合ROHS &索尼259
规范)。 AO4914L是一个绿色产品订购
选项。 AO4914和AO4914L是电相同。
特点
Q1
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A
R
DS ( ON)
< 18MΩ
R
DS ( ON)
< 28mΩ
Q2
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A
<18mΩ
(V
GS
= 10V)
<28mΩ
(V
GS
= 4.5V)
肖特基
V
DS
(V ) = 30V ,我
F
= 3A ,V
F
<0.5V@1A
S2/A
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K
D2/K
D1
D1
Q1
D2
K
D1
Q2
SOIC-8
G2
S2
A
G1
S1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
B
最大Q1
30
±20
8.5
6.6
30
2
1.28
-55到150
最大Q2
30
±20
8.5
6.6
30
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
参数
反向电压
连续向前
A
当前
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
W
°C
单位
V
A
最大肖特基
30
3
2.2
20
2
1.28
-55到150
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
脉冲二极管正向电流
功耗
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
W
°C
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