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    AO4926 参数 Datasheet PDF下载

    AO4926图片预览
    型号： AO4926
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 242 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4926的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4926的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4926的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4926的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4926的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4926的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4926的Datasheet PDF文件第8页  
    AO4926
    非对称双N沟道增强型场效应晶体管
    SRFET
    TM
    特点
    FET1
    FET2
    V
    DS
    (V) = 30V
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 7.3A （V
    GS
    = 10V)
    I
    D
    = 9.5A
    R
    DS （ ON）
    < 13.5mΩ <24mΩ
    (V
    GS
    = 10V)
    <29mΩ
    (V
    GS
    = 4.5V)
    R
    DS （ ON）
    < 16mΩ
    UIS测试！
    RG ，西塞，科斯，测试的Crss
    概述
    该AO4926采用先进的沟槽技术，提供
    优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。两
    的MOSFET使一个紧凑和高效的开关和
    同步整流器的组合为在DC-DC使用
    转换器。在一个单片集成肖特基二极管
    与同步MOSFET ，以提高效率平行
    进一步。
    标准产品AO4926是Pb-free （符合
    ROHS &索尼259规格） 。
    SOIC-8
    SRFET
    TM
    软恢复
    MOSFET ：
    集成肖特基二极管
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    符号
    最大FET1最大FET2
    V
    DS
    漏源电压
    30
    30
    V
    GS
    栅源电压
    ±12
    ±12
    连续漏极
    9.5
    7.3
    T
    A
    =25°C
    AF
    当前
    T
    A
    =70°C
    7.8
    5.9
    I
    帝斯曼
    漏电流脉冲
    雪崩电流
    B
    B
    B
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    W
    °C
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    P
    帝斯曼
    T
    J
    , T
    英镑
    T
    A
    =25°C
    40
    22
    73
    2.0
    1.3
    40
    12
    22
    2.0
    1.3
    重复雪崩能量L = 0.3mH
    功耗
    T
    A
    =70°C
    结温和存储温度范围
    热特性FET1
    参数
    A
    最大结点到环境
    最大结点到环境
    A
    最大结对铅
    C
    热特性FET2
    参数
    A
    最大结点到环境
    最大结点到环境
    A
    C
    最大结对铅
    -55〜 150 -55 〜150
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    典型值
    48
    74
    32
    最大
    62.5
    90
    40
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    典型值
    48
    74
    32
    最大
    62.5
    90
    40
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司
    www.aosmd.com

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