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    AO4932 参数 Datasheet PDF下载

    AO4932图片预览
    型号： AO4932
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 149 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4932的Datasheet PDF文件第8页  
    SRFET
    AO4932
    非对称双N沟道增强型场效应晶体管
    TM
    概述
    该AO4932采用先进的沟槽技术
    提供了优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。两
    的MOSFET使一个紧凑和高效的开关和
    同步整流器的组合为在DC-DC使用
    转换器。在一个单片集成肖特基二极管
    与同步MOSFET并联，以提高
    效率进一步。标准产品AO4932是Pb-free
    （符合ROHS &索尼259规格） 。
    特点
    FET1
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 9A
    R
    DS （ ON）
    < 15.8mΩ
    R
    DS （ ON）
    < 19.6mΩ
    FET2
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    =9A
    (V
    GS
    = 10V)
    <15.8mΩ
    (V
    GS
    = 10V)
    <23mΩ
    (V
    GS
    = 4.5V)
    UIS测试！
    RG ，西塞，科斯，测试的Crss
    SRFET
    TM
    软恢复
    MOSFET ：
    集成肖特基二极管
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    最大FET1
    参数
    V
    DS
    30
    漏源电压
    V
    GS
    栅源电压
    ±12
    连续漏极
    当前
    AF
    漏电流脉冲
    B
    雪崩电流
    C
    C
    最大FET2
    30
    ±20
    9.0
    7.2
    40
    16
    38
    2.0
    1.3
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    W
    °C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    I
    帝斯曼
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    P
    帝斯曼
    T
    J
    , T
    英镑
    T
    A
    =25°C
    9.0
    7.2
    40
    16
    38
    2.0
    1.3
    -55到150
    重复雪崩能量L = 0.3mH
    功耗
    T
    A
    =70°C
    结温和存储温度范围
    热特性FET1
    参数
    A
    最大结点到环境
    最大结点到环境
    A
    C
    最大结对铅
    热特性FET2
    参数
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A
    最大结对铅
    C
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    典型值
    48
    74
    32
    最大
    62.5
    90
    40
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    典型值
    48
    74
    32
    最大
    62.5
    90
    40
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司
    www.aosmd.com

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