AO5401EL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO5401EL
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 153 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO5401E

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO5401E / L采用先进沟道技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至1.8V 。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

applications.AO5401E和AO5401EL电

相同的。

-RoHS标准

-AO5401EL是无卤

SC89-3L

顶视图

特点

(V) = -20V

= -0.5 A（V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 0.8Ω （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 1Ω （V

= -2.5V)

DS （ ON）

< 1.3Ω （V

= -1.8V)

ESD保护！

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

10秒

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

稳定状态

-20

±8

-0.5

-0.40

-1

0.28

0.18

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

0.38

0.24

-0.5

-0.45

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

T = 10秒

稳态

θJA

θJL

典型值

275

360

300

最大

330

450

350

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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