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    AO5600E 参数 Datasheet PDF下载

    AO5600E图片预览
    型号： AO5600E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 944 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO5600E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO5600E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO5600E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO5600E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO5600E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO5600E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO5600E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AO5600E的Datasheet PDF文件第9页  
    AO5600E
    互补增强型场效应晶体管
    概述
    该AO5600E / L采用先进沟道技术
    MOSFET，以提供优秀的研发
    DS （ ON）
    和低门
    费。所述互补的MOSFET ，可以使用
    在H桥，逆变器等
    applications.AO5600E和AO5600EL电
    相同的。
    -RoHS标准
    -AO5600EL是无卤
    ESD保护！
    特点
    N沟道
    V
    DS
    (V) = 20V,
    R
    DS （ ON）
    < 0.65Ω
    R
    DS （ ON）
    < 0.75Ω
    R
    DS （ ON）
    < 0.95Ω
    P沟道
    V
    DS
    (V) = -20V,
    R
    DS （ ON）
    < 0.8Ω
    R
    DS （ ON）
    < 1.0μ
    R
    DS （ ON）
    < 1.3Ω
    I
    D
    = 0.6A （V
    GS
    =4.5V)
    (V
    GS
    = 4.5V)
    (V
    GS
    = 2.5V)
    (V
    GS
    = 1.8V)
    I
    D
    = -0.5A （V
    GS
    =-4.5V)
    (V
    GS
    = -4.5V)
    (V
    GS
    = -2.5V)
    (V
    GS
    = -1.8V)
    D1
    1
    D2
    S1
    G1
    D2
    SC-89-6
    D1
    G2
    S2
    G1
    G2
    S1
    S2
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    符号
    最大的n沟道
    漏源电压
    V
    DS
    20
    栅源电压
    连续漏极
    B，H
    当前
    漏电流脉冲
    功耗
    B
    最大的p沟道
    -20
    ±8
    -0.5
    -0.38
    -1
    0.38
    0.24
    单位
    V
    V
    A
    V
    GS
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =100°C
    T
    C
    =25°C
    T
    C
    =100°C
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    0.6
    0.4
    3
    0.38
    0.24
    W
    °C
    结温和存储温度范围
    -55到150
    热特性： n沟道和p沟道
    参数
    A
    T = 10秒
    最大结点到环境
    A
    稳态
    最大结点到环境
    C
    稳态
    最大结对铅
    A
    T = 10秒
    最大结点到环境
    A
    稳态
    最大结点到环境
    C
    稳态
    最大结对铅
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    R
    θJA
    R
    θJL
    设备
    N沟道
    N沟道
    N沟道
    P沟道
    P沟道
    P沟道
    典型值
    275
    360
    300
    275
    360
    300
    最大
    330
    450
    350
    330
    450
    350
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    ° C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司
    www.aosmd.com

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