AO6401A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6401A
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 772 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6401A

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO6401A采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至2.5V 。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。 AO6401A是Pb-free （符合ROHS &

索尼259规格）。

特点

= -30V

= -5.0A

DS （ ON）

< 44米

DS （ ON）

< 55米

DS （ ON）

< 82米

= -10V)

= -4.5V)

= -2.5V)

TSOP6

顶视图

1 6

2 5

3 4

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

10秒

稳定状态

参数

漏源电压

-30

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

1.6

1.0

-5

-3.7

±12

-3.7

-3.2

-25

1.0

0.7

-55到150

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

T = 10秒

稳定状态

θJA

θJL

典型值

最大

120

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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