AO6403 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6403
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 112 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6403

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO6403采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和超低低栅极

费。此装置适合于用作负载

开关或PWM应用。它可以被用于

共漏极结构，形成双向

无阻塞交换。

AO6403是Pb-free （符合ROHS &

索尼259规格）。 AO6403L是绿色

产品订购选项。 AO6403和AO6403L是

电相同。

特点

(V) = -30V

= -6 A（V

= -10V)

DS （ ON）

< 35mΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 58mΩ （V

= -4.5V)

TSOP6

顶视图

1 6

2 5

3 4

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-30

±20

-6

-5

-30

1.44

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

47.5

最大

62.5

110

单位

° C / W

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