AO6408L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6408L
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 142 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6408

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO6408采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。它提供

运行在一个很宽的栅极驱动范围从1.8V至

12V 。这是ESD保护。此装置适用于

使用作为负载开关。标准产品

AO6408是有铅

免费（符合ROHS &索尼259规格）。

AO6408L是一个绿色产品订购选项。

AO6408和AO6408L是电相同。

特点

(V) = 20V

= 10V)

= 8.8A

DS （ ON）

< 18MΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 20MΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 25MΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 32mΩ （V

= 1.8V)

ESD额定值： 2000V HBM

TSOP-6

顶视图

1 6

2 5

3 4

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±12

8.8

1.28

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

47.5

最大

62.5

110

单位

° C / W

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