AO6402A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6402A
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 279 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6402A

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO6402A / L采用先进沟道技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。源极引线被分离，以允许

Kelvin连接到源，它可以是

用于绕过源电感。

AO6402A和AO6402AL是电相同。

-RoHS标准

-AO6402AL是无卤

特点

(V) = 30V

= 7A

DS （ ON）

< 27mΩ

DS （ ON）

< 40MΩ

= 10V)

= 4.5V)

TSOP-6

顶视图

1 6

2 5

3 4

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

A，F

漏电流脉冲

功耗

最大

±20

7.0

5.6

2.0

1.28

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

T = 10秒

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

110

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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