AO6414L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6414L
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 135 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6414

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO6414采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。它

提供操作在很宽的栅极驱动范围

2.5V至12V 。此装置适合于用作负载

开关。标准产品

AO6414是Pb-free （符合

ROHS &索尼259规格）。 AO6414L是

绿色产品订购选项。 AO6414和

AO6414L是电相同。

特点

(V) = 55V

= 2.4A （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 160mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

<在200mΩ （V

= 2.5V)

TSOP-6

顶视图

1 6

2 5

3 4

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

=25°C

当前

=70°C

漏电流脉冲

最大

±12

2.3

1.9

1.56

1.1

-55到150

单位

, T

英镑

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

120

单位

° C / W

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