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AO6422图片预览
型号: AO6422
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 204 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6422
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO6422 / L采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.8V 。这
装置适用于一般用途的应用程序。
AO6422和AO6422L是电相同。
-RoHS标准
-AO6422L是无卤
特点
V
DS
= 20V
I
D
= 5A
(V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 44mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 55mΩ (V
GS
= 2.5V)
R
DS ( ON)
< 72mΩ (V
GS
= 1.8V)
TSOP6
顶视图
D
D
G
1 6
2 5
3 4
D
D
S
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
10秒
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
功耗
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
5
4.2
稳定状态
20
±8
3.9
3
30
1.1
0.7
单位
V
V
A
2.0
1.3
-55到150
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
47.5
74
54
最大
62.5
110
68
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com