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AO6602L图片预览
型号: AO6602L
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 144 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6602
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO6602采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET组成一个高速动力
逆变器,适合于多种应用。
标准产品AO6602是Pb-free (符合ROHS &
索尼259规格) 。 AO6602L是绿色
产品订购选项。 AO6602和AO6602L是
电相同。
特点
N沟道
P沟道
-30V
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 3.1A
(V
GS
= 10V)
-2.7A
(V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 75mΩ
(V
GS
= 10V)
< 100mΩ的
(V
GS
= -10V)
< 115mΩ
(V
GS
= 4.5V)
< 180mΩ
(V
GS
= -4.5V)
D1
TSOP6
顶视图
G1
S2
G2
1 6
2 5
3 4
D1
S1
D2
G1
S1
G2
D2
S2
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
V
GS
±20
3.1
2.4
12
1.15
0.73
-55到150
最大的p沟道
-30
±20
-2.7
-2.1
-12
1.15
0.73
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
热特性: n沟道和p沟道
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
典型值
78
106
64
最大
110
150
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司