AO6603 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6603
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内容描述：	互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 281 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6603

互补增强型场效应晶体管

概述

该AO6603采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。该

互补的MOSFET组成一个高速动力

逆变器，适合于多种应用。

标准产品AO6603是Pb-free （符合ROHS

&索尼259规格）。 AO6603L是绿色

产品订购选项。 AO6603和AO6603L是

电相同。

特点

N沟道

P沟道

-30V

(V) = 20V

= 1.7 (V

= 4.5V ） -2.5A

DS （ ON）

＆ LT ;

225mΩ

= 4.5V)

< 135mΩ

= -10V)

< 290mΩ

= 2.5V)

< 425mΩ

= 1.8V)

< 185mΩ

= 2.5V)

< 265mΩ

= 1.8V)

TSOP6

顶视图

1 6

2 5

3 4

N沟道

P沟道

绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明

符号

参数

最大的n沟道

漏源电压

栅源电压

±8

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大的p沟道

-30

±12

-2.3

-1.8

-30

1.15

0.73

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

1.7

1.4

1.15

0.73

-55到150

°C

结温和存储温度范围

热特性： n沟道和p沟道

参数

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

符号

θJA

θJL

典型值

106

最大

110

150

单位

° C / W

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