AO6701
P沟道增强型场效应晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO6701采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向的实施
堵塞开关，或用于DC-DC转换应用。
标准产品AO6701是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AO6701L是一个绿色产品订购
选项。 AO6701和AO6701L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -2.3A （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 135mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 185mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 265mΩ （V
GS
= -2.5V)
肖特基
V
DS
（V）= 20V，我
F
= 1A ，V
F
<0.5V@0.5A
D
A
S
G
K
N / C
D
K
1 6
2 5
3 4
G
S
A
TSOP6
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
肖特基反向电压
T
A
=25°C
连续正向电流
A
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结对铅
C
热特性肖特基
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结对铅
C
T
A
=70°C
T
A
=70°C
A
MOSFET
-30
±12
-2.3
-1.8
-15
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
20
2
1
1.15
0.7
-55到150
典型值
78
106
64
109.4
136.5
58.5
10
0.92
0.59
-55到150
最大
110
150
80
135
175
80
V
A
W
°C
单位
° C / W
° C / W
AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
