AO8801L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8801L
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内容描述：	双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 108 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8801

双P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO8801采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作

与栅极电压可低至1.8V 。该装置是

适合用作负载开关或PWM应用。

这是ESD保护。

标准产品AO8801是有铅

免费（符合ROHS &索尼259规格）。

AO8801L是一个绿色产品订购选项。 AO8801

和AO8801L是电相同。

特点

(V) = -20V

= -4.7 A（V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 42mΩ （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 53mΩ （V

= -2.5V)

DS （ ON）

< 70mΩ （V

= -1.8V)

ESD额定值： 3000V HBM

TSSOP-8

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-20

±8

-4.7

-3.7

-30

1.4

0.9

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

125

单位

° C / W

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