AO8846 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8846
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 206 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8846

常见的漏双N沟道增强模式

场效应晶体管

概述

该AO8846采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷。这是ESD

受保护的。此装置适合于用作单向

向或双向的负载开关，以促进其

共漏配置。

标准产品AO8846

是无铅的（符合ROHS &索尼259规格）。

特点

= 20V

= 7.0A

= 4.5V)

DS （ ON）

< 20MΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 20MΩ （V

= 4.0V)

DS （ ON）

< 21mΩ （V

= 3.1V)

DS （ ON）

< 22MΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 27mΩ （V

= 1.8V)

TSSOP-8

顶视图

D1/D2

1.8KΩ

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

10秒

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

5.7

稳定状态

±8

5.7

4.8

1.0

0.7

单位

1.5

1.0

-55到150

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳定状态

θJA

θJL

典型值

最大

120

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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