AOB403L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOB403L
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 178 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AOB403

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AOB403采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和低

栅极电阻。具有优异的耐热性

向D2 - PAK封装的，该装置非常适用于

高电流负载的应用。

标准产品

AOB403是无铅的（符合ROHS &索尼259

规范）。 AOB403L是一种绿色产品订购

选项。 AOB403和AOB403L电

相同的。

TO-263

D2-PAK

特点

(V) = -60V

= -30A （V

=-10V)

DS （ ON）

< 44mΩ （V

= -10V ） @ 30A

DS （ ON）

< 55mΩ （V

= -4.5V ） @ 20A

顶视图

漏极连接到

TAB

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

最大

-60

±20

-30

-20

-60

-26

134

2.2

1.45

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

帝斯曼

, T

英镑

=25°C

重复雪崩能量L = 0.1mH

功耗

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

1.35

最大

1.8

单位

° C / W

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